Развитие отечественного производства кремниевых СБИС


The Presentation inside:

Slide 0

Развитие отечественного производства кремниевых СБИС Геннадий Яковлевич Красников - генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», aкадемик РАН, член Совета по науке, технологиям и образованию при Президенте РФ Н.А.Шелепин, заместитель генерального директора по науке – гланый конструктор ОАО «НИИМЭ и Микрон»


Slide 1

Мировой рынок микроэлектроники Восстановление рынка микроэлектроники после падения, вызванного кризисом, займет до трех лет Источник: The Annual Semiconductor Report, Future Horizons, 2009


Slide 2

Тенденция развития технологических процессов изготовления СБИС в мире


Slide 3

Микрон – сегодня Технологический уровень (2009) Серийное производство микросхем Диаметр пластин (мм) – 150 200 Проектные нормы (мкм) 2,0 – 0,8 0,18 Номенклатура технологий Биполярная, КМОП КМОП+EEPROM для смарт-карт и РЧИ Исследования и разработки Диаметр пластин – 200 мм Разрабатываемые технологии: 180 нм: КМОП , КМОП + EEPROM, аналого-цифровые приложения БиКМОП (SiGe) для телекоммуникаций и СВЧ техники, КМОП КНИ и КМОП для радиационно-стойкой ЭКБ 90 нм: Проект по запуску производства с участием ГК «Роснанотех»


Slide 4

Технологический путь ОАО «НИИМЭ и Микрон»: сокращение разрыва с мировым уровнем Поэтапное сокращение отставания от мирового уровня, позволит российской микроэлектронике выйти в глобальные игроки и закрепить за Россией роль высокотехнологичной державы в мировом разделении труда


Slide 5

Семейство технологий с проектными нормами 180 нм Стартовая освоения


Slide 6

Основные проектные нормы технологического процесса КМОП СБИС 180 нм


Slide 7

Электрические параметры элементной базы технологического процесса КМОП СБИС 180 нм


Slide 8

Низковольтные (НВ) транзисторы НВ n-канальный транзистор НВ p-канальный транзистор


Slide 9

Высоковольтные (ВВ) транзисторы ВВ n-канальный транзистор ВВ p-канальный транзистор ВВ n-канальный транзистор без кармана


Slide 10

Развитие технологий на Фаб-200 Разработка радиационно-стойкой технологии КМОП БИС на структурах «Кремний на изоляторе» с проектными нормами 180 нм для космических аппаратов, ВВСТ (Передовой зарубежный уровень р.с. СБИС 250 - 150 нм). Участники разработки: - ОАО «НИИМЭ и Микрон» - головная организация - ГУ НПК «Технологический центр» МИЭТ - Институт физики полупроводников СО РАН - ЭНПО СПЭЛС - 22 ЦНИИИ МО


Slide 11

Подписано соглашение с фирмой IHP (Германия) о поэтапном лицензировании технологии Технология СВЧ БИС БиКМОП SiGe для изготовления ГБТ используется одна дополнительная маска; в рамках процесса возможно изготовление трех типов ГБТ с различными частотными характеристиками (ГГц): fт/fmax (Vce (В)): 30/70 (7); 50/95 (4,2) 80/95 (2,4)


Slide 12

Переход из микро- в наноэлектронику Нанотехнологии - совокупность приемов и методов, применяемых при изучении, проектировании, производстве и использовании наноструктур, устройств и систем, включающих целенаправленный контроль и модификацию формы, размера, взаимодействия и интеграции составляющих их наномасштабных элементов (около 1-100 нм), для получения объектов с новыми химическими, физическими, биологическими свойствами. При изготовлении СБИС по технологии 90 нм реализуется элементная база с минимальными топологическими размерами 90 нм и физическая структура с минимальной толщиной 1,4 нм, что позволяет изготавливать сложные электронные системы содержащие сотни миллионов транзисторов.


Slide 13

14 Семейство технологий с проектными нормами 90 нм


Slide 14

Основные проектные нормы технологического процесса КМОП СБИС 90 нм


Slide 15

Электрические параметры элементной базы технологического процесса КМОП СБИС 90 нм


Slide 16

Контроль технологического процесса изготовления СБИС с проектными нормами 180 – 90 нм


Slide 17

Материалы и комплектующие для изготовления СБИС с проектными нормами 180 – 90 нм Примечание: N – nine (девять) – означает количество девяток после запятой, например, N40 – это 0,9999; N45 – это 0,99995


Slide 18

Основные проблемы развития отечественного производства кремниевых СБИС Для коммерческих СБИС (массового производства): Отсутствие отечественного рынка СБИС Для СБИС ВВСТ: Огромное количество типономиналов импортной ЭКБ, примененной в электронных системах; Проблемы редизайна СБИС отечественной разработки (разные технологии и зарубежные ФАБы, привязка к IP, необходимость финансирования для редизайна) Отсутствие жесткой координации со стороны государственных органов по ограничению перечня типономиналов для ЭКБ спецприменения 19


Slide 19

Спасибо за внимание! http://www.mikron.ru/


×

HTML:





Ссылка: