Основано в 1946 году Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники Занимает лидирующее положение на российском рынке по разработке и производству.


The Presentation inside:

Slide 0


Slide 1

Основано в 1946 году Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники Занимает лидирующее положение на российском рынке по разработке и производству микрофотоэлектроники ФГУП «НПО «Орион»


Slide 2

Задача Ориона Разработка и производство передовых микрофотоэлектронных приборов, удовлетворяющих специфическим нуждам различных областей науки и производства


Slide 3

Наши Заказчики Наши клиенты представляют оборонные и охранные предприятия, НИИ, медицинские учреждения и другие организации российского рынка высоких технологий Мы разрабатываем приборы удовлетворяющие особым требованиям индивидуальных потребителей Мы адаптируем стандартные приборы под специфические требования заказчиков Среди наших клиентов: Красногорский завод имени С.А. Зверева Ломо, Санкт-Петербург Уомз, Екатеринбург


Slide 4

Руководящее звено Ориона Филачёв Анатолий Михайлович генеральный директор ФГУП «НПО «Орион» Корнеева Марина Дамировна первый заместитель генерального директора – директор по экономике и финансам Пономаренко Владимир Павлович первый заместитель генерального директора по научной и производственной работе


Slide 5

Орион Сегодня Высококвалифицированные кадры учёных и инженеров 60-летний опыт производства высоких технологий Растущее число производственных заказов Полное переоснащение и восстановление производственных возможностей Широкий фронт работ по переорганизации и реконструкции производственных площадей


Slide 6

Высокопрофессиональные исследовательские группы Более чем полувековой опыт высокотехнологичес-кого производства Растущее число выпускаемой продукции Полное переоснащение и восстановление производственных возможностей Управление качеством


Slide 7

Для регистрации импульсного лазерного излучения и волоконно-оптических линий связи Неохлаждаемые Фотоприёмники и фотоприёмные устройства Число элементов (каналов) от 1 до 128 Высоко скоростные, лавинные фотодиоды, pin-фотодиоды Фотодиоды и Фотоприёмные устройства на основе Si, Ge, InGaAs для спектрального диапазона 0,4…1,55 мкм


Slide 8

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства Количество элементов (каналов) от 1 до 256 Не охлаждаемые и с термоэлектрическим охлаждением С различными вариантами корпусов и бескорпусные Фотоприёмники и фотоприёмные устройства на основе фоточувствительных плёнок PbS, PbSe для спектрального диапазона 1 - 5 мкм


Slide 9

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства С предусилителями и интегральными считывающими устройствами Число элементовов от 1 до сотен тысяч Линейные и матричные фотоприёмные устройства С охлаждением Стирлинга С различными вариантами корпусов и бескорпусные Фотодиоды и фотоприёмные устройства на основе InSb для спектрального диапазона 3…5 мкм


Slide 10

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства С охладителями Стирлинга и термоэлектрическим охлаждением С предусилителями и интегральными считывающими микросхемами Число элементов от 1 до сотен тысяч Линейные и матричные фотоприёмные устройства Фотоприёмники и Фотоприёмные устройства и фотодиоды на основе фоточувствительных плёнок из CdHgTe для спектрального диапазона 3…5 и 8…12 мкм


Slide 11

Лавинные германиевые фотодиоды для волоконно-оптических линий связи Основные характеристики Рабочие длины волны, мкм 1,3 и 1,55 Рабочее напряжение, В 35 – 45 Чувствительность (при 1•10-11 А?Гц-1/2), А?Вт-1 ?6 Ёмкость, пФ ? 2 Время нарастания, нс ? 2


Slide 12

InGaAs фотодиоды для волоконно-оптических линий связи Основные характеристики Рабочие длины волн, мкм 1,3 и 1,55 Рабочее напряжение, В 10 Диаметр фоточувствительной площадки, мкм 200 Темновой ток, нА ?10 Токовая чувствительность, А?Вт-1 на ?=1,3 мкм, А/Вт ?0,6 на ?=1,55 мкм,А/Вт ?0,8 Ёмкость, пФ ?2 Время нарастания, нс ?2 Рабочее напряжение, В 10 Диапазон рабочих температур, оС от -40 до +85


Slide 13

Лавинные кремниевые фотодиоды Основные характеристики Рабочая длина волны, мкм 0,8 – 0,9 Чувствительность (при 1·10-12 А?Гц-1/2), А?Вт-1 ?20 Рабочее напряжение, В 70 - 400 Ёмкость, пФ ?3 Время нарастания, нс ?3 Диапазон рабочих температур, оС от -40 до +85 Диаметр сечения оптического волокна, мкм 300


Slide 14

Фотоприёмное устройство на основе кремниевого pin-фотодиода Основные характеристики Спектральный диапазон, мкм 0,8 – 0,95 Диаметр фоточувствительной площадки, мм 5 Пороговая импульсная чувствительность (при ?вх=100 нс), Вт (1,95 – 3,25)·10-6 Напряжение питания, В 6,5 – 10,5 Ток потребления при (Рф=4 мВт) ?7 Амплитуда импульсов на выходе, В ?5 Диапазон рабочих температур, оС от -20 до +50


Slide 15

8 канальное фотоприёмное устройство на основе кремниевого pin-фотодиода Основные характеристики Рабочая длина волны, мкм 1,06 Порог чувствительности (Uс/Uш=1),Вт наружные площадки ?1,0•10-7 внутренние площадки ?0,6•10-7 Вольтовая монохроматическая импульсная чувствительность, В/Вт 1•10-4 Разброс чувствительности между площадками, % ?15 Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ наружные площадки ?57 внутренние площадки ?70 внутренние площадки в режиме «Ослаблено» ?100 Напряжение питания ФПУ, В фотодиодов 200±10 усилителей ±12


Slide 16

Пороговый германиевый фотодиод Основные характеристики Количество чувствительных элементов 1 Диаметр эффективной площадки, мм 1,1 Плоский угол зрения 40° Спектральный диапазон, мкм 0,8 – 1,6 Токовая чувствительность на ?=1,06 нм, А/Вт 0,5 на ?=1,55 нм, А/Вт 0,55 Обнаружительная способность при ?max, Вт-1•см•Гц1/2 3•1010 Время нарастания/спада переходной характеристики, нс ?40 Динамический диапазон 1•107 Темновой ток, мкА ?10 Ёмкость, пФ ?100 Масса, г 2 Рабочее напряжение, В 10


Slide 17

Фотоприёмное устройство на основе Si фотодиода Основные характеристики Количество чувствительных элементов 1 Спектральный диапазон, мкм 0,4 – 1,1 Диаметр фоточувствительной площадки, мм 0,45 – 0,55 Параметры выходного сигнала амплитуда, В 2,5 – 4,5 длительность, нс 50-120 полярность положительная время нарастания , нс ?15 Напряжение питания фотодиода, В 100±10 Ток потребления по цепи усилителя, мА ?45 Диапазон рабочих температур, оС от -40 до +60 Габаритные размеры, мм O30?6,5


Slide 18

Фоторезисторы на основе PbS и PbSe Основные характеристики


Slide 19

Матричное фотоприёмное устройство на основе CdHgTe


Slide 20

Одноэлементные неохлаждаемые фоторезисторы на основе PbSe Основные характеристики


Slide 21

Фотоприёмное устройство на основе CdHgTe детекторах Основные характеристики


Slide 22

Фотоприёмное устройство на основе PbSe с термоэлектрическим охлаждением Основные характеристики


Slide 23

Электронно-лучевая установка


Slide 24

Ионно-лучевая установка


Slide 25

Электронно-лучевая пушка


Slide 26

Ионные источники


Slide 27

Для связи ФГУП "НПО "ОРИОН" 111123, Россия, Москва, Энтузиастов ш., дом 46/2 Телефон: +007 (095) 176 1639, 374 9400 Факс: +007 (095) 368 80 80, 374 9400 E-mail: [email protected], [email protected] Контактные лица: Левенец Н.П. – начальник управления по маркетингу Телефон: +007 (095) 374 4020


×

HTML:





Ссылка: